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Transistor De Pot Rf Fet Canal N 8 W.
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El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
MRF-1517-T1
Ficha técnica
- Modelo
- MRF-1517-T1
- Peso
- MRF-1517-T1
- Stock
- 0
- Referencia
- 24113
- Actualizado
- 2025-05-15 14:37:13
Referencias Específicas
- mpn
- MRF-1517-T1
Nuevo
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SYSCOM PARTS MRF-1517-T1 Transistor De Pot Rf Fet Canal N 8 W. El Transistor MRF1517T1 estaacute disentildeado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente comuacuten de gran sentildeal en equipos FM portaacutetiles de 75 voltios Rendimiento especificado 520 MHz75 Volts Potencia de salida 8 Watts Ganancia de potencia 11dB Eficiencia 55 Caracterizado con paraacutemetros de impedancia de sentildeal grande equivalente en serie Excelente estabilidad teacutermica Capaz de manejar 201 VSWR 95 Vcc 520 MHz 2 dB de sobremodulacioacuten Envase de plaacutestico de montaje superficial de potencia RF
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